碳化硅MOSFET因高耐压、低损耗等优势成为高温应用首选，高温反偏(HTRB)试验是评估其长期可靠性的关键标准。

MOS管烧毁原因包括过载、静电放电、安装不当、电压波动及环境因素，需采取预防措施确保其稳定运行。

MOS管凭借电压控制特性，广泛应用于开关电路，具备高效低损耗优势，适用于电源管理、电机驱动等场景，通过合理选型与设计实现精准控制。

本文分析MOS管高频工作下的EMC问题，提出选型优化与驱动电路重构等解决方案。

MOSFET放大电路通过精准设计实现高效低功耗信号处理，涉及直流偏置、小信号建模、阻抗匹配及频率响应优化。

MOSFET凭借高效、快速、稳定，成为功率控制领域的核心器件，广泛应用于各类电子设备中。

全桥逆变电路通过四个MOS管实现直流到高频交流电的转换，广泛应用于新能源和工业领域，关键在于精确控制和高效能元件选型。

MOS管失效可表现为短路或开路，需结合具体场景分析，短路引发电流失控，开路导致信号失真，受电压、温度和设计影响。

文章介绍了MOS管在电源设计中的浪涌抑制技术，涵盖被动与有源方案，强调其在保护设备、提升效率方面的应用。

MOS管击穿后可能形成短路或开路，取决于材料和条件，需注意保护措施与早期检测。