安森德ASDsemi低成本30V N+P无线充MOS管AST120C03D6M，采用PDFN3*3-8封装，散热性能好，低内阻N+P通道增强型场效应管

WSD3044DN33是一款高性能沟槽双N沟道MOSFET，符合RoHS和绿色要求，具有极高的单元密度和超低栅极电荷，可实现100%EA，广泛应用于POL应用程序、MB/VGA/Vcore、负载开关和

威兆VSU65R022HS-F是一款高压650V / 118A大电流，18mΩ极小内阻超结MOSFET，主要用于驱动精密大功率电源

VS4802GPHT SGT-MOS管应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统

SP6030F是一款高压半桥栅极驱动器适用于桥式电路设计的芯片双N-MOS或IGBT。可广泛应用于直流无刷电机驱动方案。

Ruichips/锐骏 N-MOS RU207C应用于电源管理电路中，如移动电源、无线充等产品

ASDsemi安森德ASDM30N120KQ 30V低压 N-MOS 封装 TO-252-2L

DON70N04是一颗N沟道MOSFET，40V 70A低阻值RDS（ON）8.5mΩ@VGS=10V

直流马达驱动控制N-MOS SGT安森德ASDM100R012NHT是一款低内阻1.1mΩ功率管

TMC(台懋)TM4614 40V N+P 9.8A 16mΩ@10V MOS