MOSFET DS并联电阻和电容可抑制开关浪涌、稳定工作及降低EMI。

开关电源中，MOS管驱动电路是关键，需考虑隔离、偏置、缓冲等，提升效率与稳定性。

碳化硅MOSFET因高效性能推动功率电子革新，但需精密驱动电路设计以提升开关性能与可靠性。

MOS管并联后，耐压值由最低耐压器件决定，易导致过压击穿，需注意均压和电流分配。

文章介绍了MOS管的管脚识别与参数测量方法，强调了万用表和管脚特征的实用技巧，以及关键参数如阈值电压和导通电阻的重要性。

文章介绍了基于MOS管的15分钟精确延时电路设计，强调RC网络、元件选择及多级级联方案，实现稳定可靠的延时功能。

电子点焊机中MOS管作为精准能量调节器，实现高效、精确的焊接，提升工艺效率与精度。

MOS管选型需关注VDSS、RDS(on)及栅极特性，合理配置以提升效率与可靠性。

PTD10HN03B是一款高性能N沟道MOSFET，具备30V耐压、100A电流能力，低导通电阻与低阈值电压，适用于高效、紧凑的电子设备。

MOS管体二极管具有高电流承载能力，持续电流可达11A，脉冲电流可达33A，导通电压约1.4V，对电路设计有重要影响。