ASDsemi安森德ASDM30N120KQ 30V低压 N-MOS 封装 TO-252-2L
DON70N04是一颗N沟道MOSFET,40V 70A低阻值RDS(ON)8.5mΩ@VGS=10V
直流马达驱动控制N-MOS SGT安森德ASDM100R012NHT是一款低内阻1.1mΩ功率管
TMC(台懋)TM4614 40V N+P 9.8A 16mΩ@10V MOS
vergiga/威兆 P沟道先进功率MOSFET VS3506AD -30V/-80A
vergiga/威兆VS4802GPHT无人机电机驱动控制NMOS 40V 355A 低内阻0.7mΩ
HYG009N04LS1C2 HUAYI/华羿 40V/200A N-MOS适用无人机领域
AP10G02LI是一款高性能MOSFET,适用于无线充电,具备低导通电阻、高电流承载能力,适合高效能电源管理应用。
永源微AP60P03D是一款高性能国产PMOS管,具备低导通电阻、低栅极电荷、高效率及良好热管理,适用于开关电源和高频电路。
永源微电子AP8G02LI MOSFET采用第三代沟槽技术,提升效率与性能,适用于无线充电和电机驱动场景。
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诺芯盛备案号:粤ICP备2022029173号-4 热销型号:ASDM30C16E-R ASDM3010S-R APM20G02LI AGM311MN
